LAN8742 教程(2) 数据手册 中文翻译(2)

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4.0 寄存器说明

本章介绍各种控制和状态寄存器（CSR）和MDIO可管理设备（MMD）寄存器。
CSR遵循IEEE 802.3（条款22.2.4）管理寄存器集。 MMD寄存器符合IEEE 802.3-2008 45.2 MDIO接口寄存器规范。所有功能和位定义均符合这些标准。
每个CSR定义都包含IEEE 802.3指定的寄存器索引（十进制），从而允许通过串行管理接口（SMI）协议对这些寄存器进行寻址。可通过MMD访问控制寄存器和MMD访问地址/数据寄存器CSR间接访问MMD寄存器。

4.1 寄存器名称

表4-1说明了本文档中使用的寄存器位属性符号。
表4-1：寄存器位类型

寄存器位类型表示法	寄存器位说明
R	Read(读) ：可以读取具有此属性的寄存器或位。
W	Write(写) ：可以写入具有该属性的寄存器或位。
RO	Read only(只读)：写入无效。
WO	Write only(只写)：如果寄存器或位是只写的，则读取将返回未指定的数据。
WC	Write One to Clear(写一个清除)：写一个清除数值。写零无效
WAC	Write Anything to Clear(写任何东西清除)：写任何东西都会清除值。
RC	Read to Clear(读取至清除)：读取后清除内容。写入无效。
LL	Latch Low(锁存器低)：读取寄存器时清零。
LH	Latch High(锁存器高)：读取寄存器后清零。
SC	Self-Clearing(自清除)：设置后，内容将自动清除。零写入无效。内容可以阅读。
SS	Self-Setting(自设置)：清除后内容是自设置的。写一个无效。内容可以阅读。
RO/LH	Read Only, Latch High(只读)，锁存高电平：具有此属性的位将保持高电平，直到读取该位为止。读取后，如果保持高电平状态，则该位将保持高电平；如果已去除高电平状态，则将变为低电平。如果尚未读取该位，则无论高电平状态如何变化，该位都将保持高电平。在某些以太网PHY寄存器中使用此模式。
NASR	Not Affected by Software Reset(不受软件复位的影响)：声明软件复位后，NASR位的状态不会更改。
RESERVED	Reserved Field(保留字段)：保留字段必须写入零以确保将来的兼容性。读取时不能保证保留位的值。

这些寄存器位符号中的许多都可以组合。下面是一些示例：

? R / W：可以写入。读取时将返回当前设置。
? R / WAC：将在读取时返回当前设置。写任何东西都可以清除。

4.2 控制和状态寄存器

表4-2列出了支持的寄存器。寄存器的详细信息（包括位定义）在后续小节中提供。
表4-2：SMI寄存器映射

寄存器索引（十进制）	寄存器名称	组
0	基本控制寄存器	基本的
1	基本状态寄存器	基本的
2	PHY标识符1寄存器	扩展的
3	PHY标识符2寄存器	扩展的
4	自动协商广告注册	扩展的
5	自动协商链接合作伙伴能力注册	扩展的
6	自动协商扩展寄存器	扩展的
7	自动协商下一页TX寄存器	扩展的
8	自动协商下一页RX寄存器	扩展的
13	MMD访问控制寄存器	扩展的
14	MMD访问地址/数据寄存器	扩展的
16	EDP??D NLP /交叉时间寄存器	供应商特定
17	模式控制/状态寄存器	供应商特定
18	特殊模式寄存器	供应商特定
24	TDR模式/延迟控制寄存器	供应商特定
25	TDR控制/状态寄存器	供应商特定
26	符号错误计数器寄存器	供应商特定
27	特殊控制/状态指示寄存器	供应商特定
28	电缆长度寄存器	供应商特定
29	中断源标志寄存器	供应商特定
30	中断屏蔽寄存器	供应商特定
31	PHY特殊控制/状态寄存器	供应商特定

4.2.1 基本控制寄存器

索引（十进制）：0
大小：16位

位	描述	类型	默认值
15	软复位 1 =软件复位。位是自我清除。设置该位时，请勿设置该寄存器中的其他位。 注意：配置（如第3.7.2节“ MODE [2：0]中所述：模式配置”）是通过寄存器的位值而非模式引脚设置的。	R/W SC	0b
14	回送 0 =正常运行 1 =回送模式	R/W	0b
13	速度选择 0 = 10 Mbps 1 = 100 Mbps 注意：如果启用了自动协商，则忽略（0.12 = 1）。	R/W	（请参阅注释1）
12	启用自动协商 0 = 禁用自动协商过程 1 = 启用自动协商过程（覆盖0.13和0.8）	R/W	（请参阅注释1）
11	掉电 0 = 正常运行 1 = 常规掉电模式	R/W	0b
10	隔离 0 = 正常运行 1 = PHY与RMII电气隔离	R/W	0b
9	重新启动自动协商 0 = 正常运行 1 = 重新启动自动协商过程注意：该位是自清除的。	R/W SC	0b
8	双工模式 0 =半双工 1 =全双工 注意：如果启用了自动协商（0.12 = 1），则将被忽略。	R/W
7:0	保留的	RO	-

Note 1: The default value of this bit is determined by the MODE[2:0] configuration straps. Refer to Section 3.7.2, “MODE[2:0]:Mode Configuration” for additional information.

4.2.2 基本状态寄存器

索引（十进制）：1
大小：16位

位	描述	类型	默认值
15	100BASE-T4 0 = 无T4能力 1 = 能够使用T4	RO	0b
14	100BASE-TX全双工 0 = 无TX全双工功能 1 =具有全双工的TX	RO	1b
13	100BASE-TX半双工 0 = 无TX半双工能力 1 = TX有半双工	RO	1b
12	10BASE-T全双工 0 = 无全双工10 Mbps 1 = 全双工10 Mbps	RO	1b
11	10BASE-T半双工 0 = 无半双工10 Mbps 1 = 半双工10 Mbps	RO	1b
10	100BASE-T2全双工 0 = PHY无法执行全双工100BASE-T2 1 = PHY能够执行全双工100BASE-T2	RO	0b
9	100BASE-T2半双工 0 = PHY无法执行半双工100BASE-T2 1 = PHY能够执行半双工100BASE-T2	RO	0b
8	扩展状态 0 = 寄存器15中没有扩展状态信息 1 =寄存器15中有扩展状态信息	RO	0b
7:6	保留的	RO	-
5	自动协商完成 0 =自动协商过程未完成 1 =自动协商过程完成	RO	0b
4	远程故障 1 =检测到远程故障情况 0 =无远程故障	RO/LH	0b
3	自动协商能力 0 = 无法执行自动协商功能 1 = 能够执行自动协商功能	RO	1b
2	连结状态 0 = 链接已断开。 1 = 链接已建立。	RO/LL	0b
1	贾伯检测 0 =未检测到jabber情况。 1 = 检测到Jabber条件。	RO/LH	0b
0	扩展功能 0 =不支持扩展功能寄存器 1 = 支持扩展功能寄存器	RO	1b

4.2.3 PHY标识符1寄存器

索引（十进制）：2
大小：16位

位	描述	类型	默认
15:0	PHY ID号 分配给组织唯一标识符的第3至第18位 （OUI）。	读/写	0007h

4.2.4 PHY标识符2寄存器

索引（十进制）：3
大小：16位

位	描述	类型	默认
15:10	PHY ID号 分配给OUI的第19至第24位。	读/写	C130h
9:4	型号编号 六位制造商的型号	读/写
3:0	修订号 四位制造商的修订号	读/写

注意： 版本号字段的默认值可能会根据芯片版本号而有所不同。

4.2.5 自动协商广告寄存器

索引（十进制）：4
大小：16位位

位	描述	类型	默认
15	下一页 0 = 没有下一页功能 1 = 支持下一页	读/写	0b
14	已预留	只读	-
13	远程故障 0 = 无远程故障 1 = 检测到远程故障	读/写	0b
12	保留的	只读	-
11:10	暂停操作 00 = 无暂停 01 =对称暂停 10 =对链接伙伴的非对称暂停 11 =向本地设备通告对对称暂停和非对称暂停的支持 注意 : 如果同时设置了对称暂停和非对称暂停，则设备在自动协商完成后最多只能配置为两个设置之一。	读/写	00b
9	保留的	只读	-
8	100BASE-TX全双工 0 = 无TX全双工功能 1 = 具有全双工的TX	读/写	（请参阅注释1）
7	100BASE-TX 0 = 没有发送能力 1 = 能够发送	读/写	1b
6	10BASE-T全双工 0 = 无10 Mbps全双工功能 1 = 10 Mbps全双工	读/写	（请参阅注释1）
5	10BASE-T 0 = 无10 Mbps的能力 1 = 10 Mbps的能力	读/写	（请参阅注释1）
4:0	选择器字段 00001 = IEEE 802.3	读/写	00001b

注释1： 该位的默认值由MODE
[2:0]配置带确定。请参阅第3.7.2节“ MODE [2:0]: 模式配置”以获取更多信息。

4.2.6 自动协商链接合作伙伴能力登记表

索引（十进制）：5
大小：16位

位	描述	类型	默认
15	下一页 0 = 没有下一页功能 1 =支持下一页	只读	0b
14	确认 0 = 尚未收到链接代码字 1 = 从伙伴接收到链接代码字	只读	0b
13	远程故障 0 =无远程故障 1 = 检测到远程故障	只读	0b
12	已预留	只读	-
11:10	暂停操作 00 =伙伴站不支持暂停 01 = 伙伴站支持对称暂停 10 = 伙伴站支持非对称暂停 11 = 伙伴站同时支持对称暂停和非对称暂停	只读	00b
9	100BASE-T4 0 =无T4能力 1 = 能够使用T4 注意： 该设备不支持T4功能。	只读	0b
8	100BASE-TX全双工 0 = 无TX全双工功能 1 = 具有全双工的TX	只读	0b
7	100BASE-TX 0 = 没有发送能力 1 = 能够发送	只读	0b
6	10BASE-T全双工 0 =无10 Mbps全双工功能 1 = 10 Mbps全双工	只读	0b
5	10BASE-T 0 =无10 Mbps能力 1 = 10 Mbps的能力	只读	0b
4:0	选择器字段 00001 = IEEE 802.3	只读	00001b

4.2.7 自动协商扩展寄存器

索引（十进制）：6
大小：16位

位	描述	类型	默认
15:7	保留的	只读	-
6	接收下一页位置信息 0 = 接收的下一页存储位置未由6.5位指定 1 = 接收的下一页存储位置未由6.5位指定	只读	1b
5	收到的下一页存储位置 0 =链接伙伴下一页存储在自动协商链接伙伴能力寄存器（PHY寄存器5）中 1 =链接伙伴的下一页存储在自动协商下一页RX寄存器（PHY寄存器8）中	只读	1b
4	并行检测故障 0 =并行检测逻辑未检测到故障 1 =并行检测逻辑检测到故障	RO/LH	0b
3	链接合作伙伴下一页 0 =链接伙伴没有下一页功能。 1 =链接伙伴具有下一页功能。	只读	0b
2	下一页能够 0 =本地设备没有下一页功能。 1 =本地设备具有下一页功能。	只读	1b
1	收到页面 0 = 尚未收到新页面 1 = 收到新页面	RO/LH	0b
0	链接伙伴自动协商能力 0 =链接伙伴不具有自动协商功能。 1 =链接伙伴具有自动协商功能。	只读	0b

4.2.8 自动协商下一页TX寄存器

索引（十进制）： 7
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15	下一页 0 = 没有下一页功能 1 = 支持下一页	R/W	0b
14	保留的	RO	-
13	留言页面 0 = 未格式化的页面 1 = 消息页面	R/W	1b
12	致谢2 0 = 设备不符合消息。 1 = 设备将遵循消息。	R/W	0b
11	切换 0 = 先前值为HIGH。 1 = 上一个值为LOW。	RO	0b
10:0	讯息码 消息/未格式化的代码字段	R/W	000 0000 0001b

4.2.9 自动协商下一页接收寄存器

索引（十进制）： 8
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15	下一页 0 = 没有下一页功能 1 = 支持下一页	RO	0b
14	确认 0 = 尚未从合作伙伴处收到链接代码字 1 = 从伙伴接收到链接代码字	RO	0b
13	留言页面 0 = 未格式化的页面 1 = 消息页面	RO	0b
12	致谢2 0 = 设备不符合消息。 1 = 设备将遵循消息。	RO	0b
11	切换 0 = 先前值为HIGH。 1 =上一个值为LOW。	RO	0b
10:0	讯息码 消息/未格式化的代码字段	RO	000 0000 0000b

4.2.10 MMD访问控制寄存器

索引（十进制）： 13
大小： 16位
该寄存器与MMD访问地址/数据寄存器一起提供对MDIO可管理设备（MMD）寄存器的间接访问。有关更多详细信息，请参见第4.3节“ MDIO可管理设备（MMD）寄存器”。

位	描述	类型	默认
15:14	MMD功能 此字段用于选择所需的MMD功能： 00 = 地址 01 = 数据，无帖子增量 10 = 保留 11 = 保留	R/W	00b
13:5	保留的	RO	-
4:0	MMD设备地址（DEVAD） 该字段用于选择所需的MMD设备地址。 （3 = PCS）	R/W	0h

4.2.11 MMD访问地址/数据寄存器

索引（十进制）： 14
大小： 16位
该寄存器与MMD访问控制寄存器一起提供对MDIO可管理设备（MMD）寄存器的间接访问。有关更多详细信息，请参见第4.3节“ MDIO可管理设备（MMD）寄存器”。

位	描述	类型	默认
15:0	MMD寄存器地址/数据 如果MMD访问控制寄存器的MMD功能字段为“ 00”，则此 字段用于指示MMD寄存器地址以读取/写入MMD设备地址（DEVAD）字段中指定的设备。否则，该寄存器用于从先前指定的MMD地址读取数据或将数据写入先前指定的MMD地址。	R/W	0000h

4.2.12 EDPD NLP /分频器

索引（十进制）： 16
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15	EDP??D TX NLP使能 在能量检测掉电（EDPD）模式下（EDPWRDOWN = 1），这 该位允许以EDPD TX NLP间隔计时器选择字段定义的间隔传输单个TX NLP。 0 = 禁用TX NLP 1 =处于EDPD模式时启用TX NLP	R/WNASR	0b
14:13	EDP??D TX NLP间隔定时器选择 处于能量检测掉电（EDPD）模式（EDPWRDOWN = 1）且 EDP??D TX NLPEnable为1，此字段定义用于发送单个TX NLP的间隔。 00 = 1秒（默认） 01 = 768毫秒 10 = 512毫秒 11 = 256毫秒	R/WNASR	00b
12	EDP??D RX单个NLP唤醒使能 在能量检测掉电（EDPD）模式下（EDPWRDOWN = 1），这 该位使能在接收单个RX NLP时唤醒PHY。 0 =禁止RX NLP唤醒 1 =处于EDPD模式时使能TX NLP唤醒	R/WNASR	0b
11:10	EDP??D RX NLP最大间隔检测选择 处于能量检测掉电（EDPD）模式（EDPWRDOWN= 1）且EDP??D RX单个NLP唤醒使能为0，此字段定义检测两个要从EDPD模式唤醒的RX NLP的最大间隔 00 = 64毫秒（默认） 01 = 256毫秒 10 = 512毫秒 11 = 1秒	R/WNASR	00b
9:2	保留的	RO	-
1	EDP??D扩展交叉 在能量检测掉电（EDPD）模式下（EDPWRDOWN = 1）， 将此位设置为1可将交叉时间延长2976 ms。 0 = 禁用交叉时间扩展 1 = 启用交叉时间扩展（2976 ms）	R/WNASR	0b
0	延长手动10/100 Auto-MDIX交叉时间 启用自动MIDX并且PHY处于手动10BASE-T或 在100BASE-TX模式下，将此位设置为1可将交叉时间延长1984 ms，以允许链接到自动协商链接伙伴PHY。 0 = 禁用交叉时间扩展 1 = 启用交叉时间扩展（1984毫秒）	R/WNASR	1b

4.2.13 模式控制/状态寄存器

索引（十进制）： 17
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:14	保留的	RO	-
13	EDP??关机 启用能量检测掉电（EDPD）模式： 0 = 禁止能量检测掉电。 1 = 使能能量检测掉电。 注意： 在EDPD模式下，可以通过EDPD NLP / Crossover TimeRegister修改设备的NLP特性。	R/W	0b
12:10	保留的	RO	-
9	远端环回 启用远端环回模式（即，所有接收到的数据包都以模拟方式发送回 （仅在100BASE-TX中）。即使设置了隔离位（0.10），此模式仍然有效。 0 = 禁用远端环回模式。 1 = 使能远端环回模式。 有关更多信息，请参见第3.8.10.2节“ Far Loopback”。	R/W	0b
8:7	保留的	RO	-
6	ALTINT 备用中断模式： 0 = 使能主中断系统（默认） 1 = 使能备用中断系统 有关更多信息，请参见第3.6节“中断管理”。	R/W	0b
5:2	保留的	RO	-
1	能源 指示是否检测到能量。如果无效，则该位转换为“ 0” 在256毫秒内检测到能量。通过硬件复位将其复位为“ 1”，而不受软件复位的影响。有关更多信息，请参见第3.8.3.2节“能量检测掉电（EDPD）”。	RO	1b
0	保留的	R/W	0b

4.2.14 特殊模式寄存器

索引（十进制）： 18
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:8	保留的	RO	-
7:5	模式 收发器的操作模式。请参阅第3.7.2节“ MODE [2：0]： 模式 配置”以获取更多详细信息。	R/WNASR	（请参阅注释1）
4:0	PHY地址 PHY地址。PHY地址用于SMI地址和初始化- 密码（扰码）键的位置。 请参见第3.7.1节“ PHYAD [0]： PHY地址配置”以获取更多详细信息。	R/WNASR	（见注2）

**注释1：**该字段的默认值由MODE [2：0]配置带确定。请参阅第3.7.2节“ MODE [2：0]： 模式配置”以获取更多信息。
注释2: 该字段的默认值由PHYAD [0]配置带确定。请参见第3.7.1节“ PHYAD [0]：PHY地址配置”以获取更多信息。

4.2.15 TDR模式/延迟控制寄存器

索引（十进制）： 24
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15	TDR延迟输入 0 = 断线时间为2 ms。 1 = 设备在启动TDR之前使用TDR线路中断计数器来增加线路中断时间。	R/WNASR	0b
14:12	TDR断线计数器 当TDR Delay In为1时，此字段指定在 增量为256毫秒，最长2秒。	R/WNASR	000b
11:6	TDR模式高 该字段指定高周期以TDR模式发送的数据模式。	R/WNASR	101110b
5:0	TDR模式低 此字段指定在低周期以TDR模式发送的数据模式。	R/WNASR	011101b

4.2.16 TDR控制/状态寄存器

索引（十进制）： 25
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15	TDR启用 0 =禁用TDR模式 1 =启用TDR模式 注意： TDR完成时此位自清除（TDR通道状态变为高电平）	R/WNASR SC	0b
14	TDR模数滤波器使能 0 = 禁用TDR模数转换器 1 = 启用TDR模数滤波器（减少TDR脉冲期间的噪声尖峰）	R/WNASR	0b
13:11	保留的	RO	-
10:9	TDR通道电缆类型 表示由TDR测试确定的电缆类型。 00 = 默认 01 = 短路的电缆状况 10 = 断开的电缆状况 11 = 匹配的电缆状况	R/WNASR	00b
8	TDR频道状态 高电平时，该位指示TDR操作已完成。这一点 将保持高电平，直到复位或重新启动TDR操作（TDR使能= 1）	R/WNASR	0b
7:0	TDR通道长度 此八位值指示短路或断开期间的TDR通道长度 电缆状况。有关此字段的用法的更多信息，请参见第3.8.9.1节“时域反射法（TDR）电缆诊断”。 **注意：**在匹配电缆情况下，此字段无效。电缆长度寄存器必须用于确定非断开/短路（匹配）条件下的电缆长度。有关更多信息，请参见第3.8.9节“电缆诊断”。	R/WNASR	00h

4.2.17 符号错误计数器寄存器

索引（十进制）： 26
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:0	符号错误计数器（SYM_ERR_CNT） 当无效时，此基于100BASE-TX接收器的错误计数器将递增 收到的代码符号包括IDLE符号。即使接收的数据包包含多个符号错误，每个数据包计数器也只会递增一次。此字段最多可计数65,536，如果超出最大值，则翻转为0。 注意 ： 该寄存器在复位时被清除，但不能通过读取寄存器来清除。在10BASE-T模式下不会递增。	RO	0000h

4.2.18 特殊控制/状态指示寄存器

索引（十进制）： 27
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15	AMDIXCTRL HP Auto-MDIX控件： 0 = 启用自动MDIX 1 = 禁用Auto-MDIX（使用27.13控制通道）	R/WNASR	0b
14	保留的	RO	-
13	CH_SELECT 手动频道选择： 0 = MDI（TX发送，RX接收） 1 = MDIX（TX接收，RX发送）	R/WNASR	0b
12	保留的	RO	-
11	SQEOFF 禁用SQE测试（心跳）： 0 = 启用SQE测试 1 = 禁用SQE测试	R/WNASR	0b
10:5	保留的	RO	-
4	XPOL 10BASE-T的极性状态： 0 = 正常极性 1 = 极性相反	RO	0b
3:0	保留的	RO	-

4.2.19 电缆长度寄存器

索引（十进制）： 28
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:12	电缆长度（CBLN） 该四位值指示电缆长度。请参阅第3.8.9.2节， “匹配的电缆诊断”提供有关此字段用法的更多信息。 **注意：**此字段指示没有电缆断开/短路的100BASE-TX链接设备的电缆长度。要确定电缆的打开/短路状态，必须使用TDR模式/延迟控制寄存器和TDR控制/状态寄存器。10BASE-T链接不支持电缆长度。有关更多信息，请参见第3.8.9节“电缆诊断”。	RO	0000b
11:0	保留的	RO	-

4.2.20 中断源标志寄存器

索引（十进制）： 29
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:9	保留的	RO	-
8	INT8 0 = 没有中断源 1 = 检测到局域网唤醒（WoL）事件	RO/LH	0b
7	INT7 0 = 没有中断源 1 = 产生能量	RO/LH	0b
6	INT6 0 = 没有中断源 1 = 自动协商完成	RO/LH	0b
5	INT5 0 = 没有中断源 1 = 检测到远程故障	RO/LH	0b
4	INT4 0 = 没有中断源 1 = 链接断开（链接状态否定）	RO/LH	0b
3	INT3 0 = 没有中断源 1 = 自动协商LP确认	RO/LH	0b
2	INT2 0 = 没有中断源 1 = 并行检测故障	RO/LH	0b
1	INT1 0 =没有中断源 1 = 收到自动协商页面	RO/LH	0b
0	保留的	RO	0b

4.2.21 中断掩码寄存器

索引（十进制）： 30
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:9	保留的	RO	-
8:1	屏蔽位 这些位屏蔽了中断源标志中的相应中断 寄存器。 0 = 屏蔽中断源。 1 = 使能中断源。	R/W	00000000b
0	保留的	RO	-

4.2.22 PHY特殊控制/状态寄存器

索引（十进制）： 31
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:13	保留的	RO	-
12	自动完成 自动协商完成指示： 0 = 未完成或禁用自动协商（或未激活）。 1 = 自动协商完成。	RO	0b
11:5	保留-写为0000010b，读时忽略。	R/W	0000010b
4:2	速度指示 HCDSPEED值： 001 = 10BASE-T半双工 101 = 10BASE-T全双工 010 = 100BASE-TX半双工 110 = 100BASE-TX全双工	RO	XXXb
1:0	保留的	RO	-

4.3 MDIO可管理设备（MMD）寄存器

设备MMD寄存器符合IEEE 802.3-2008 45.2 MDIO接口寄存器规范。MMD寄存器未映射到内存。这些寄存器可通过MMD访问控制寄存器和MMD访问地址/数据寄存器间接访问。支持的MMD设备地址为3（PCS）和30（特定于供应商）。表4-3“ MMD寄存器”详细介绍了每个MMD器件内支持的寄存器。
表4-3：MMD寄存器

MMD设备地址 （十进制）	指数 （十进制）	注册名称
3（PCS）	5	PCS MMD设备存在1个寄存器
	6	PCS MMD设备存在2个寄存器
	32784	唤醒控制和状态寄存器（WUCSR）
	32785	唤醒滤波器配置寄存器A（WUF_CFGA）
	32786	唤醒过滤器配置寄存器B（WUF_CFGB）
	32801	唤醒过滤器字节掩码寄存器（WUF_MASK）
	32802
	32803
	32804
	32805
	32806
	32807
	32808
	32865	MAC接收地址A寄存器（RX_ADDRA）
	32866	MAC接收地址B寄存器（RX_ADDRB）
	32867	MAC接收地址C寄存器（RX_ADDRC）
	32868	杂项配置寄存器（MCFGR）
30 （特定于供应商）	2	供应商特定的MMD 1设备ID 1寄存器
	3	供应商特定的MMD 1设备ID 2寄存器
	5	供应商特定的1 MMD设备存在1注册
	6	供应商特定的1 MMD设备存在2注册
	8	供应商特定的MMD 1状态寄存器
	11	TDR匹配阈值寄存器
	12	TDR短/开门限寄存器
	14	供应商特定的MMD 1软件包ID 1寄存器
	15	供应商特定的MMD 1软件包ID 2寄存器

要读取或写入MMD寄存器，必须遵循以下步骤：

1. 将MMD功能字段的00b（地址）写入MMD访问控制寄存器，并将MMD设备地址（DEVAD）的字段写入所需的MMD设备（对于PCS为3）。
2. 用所需MMD寄存器的16位地址写入MMD访问地址/数据寄存器，以便在先前选择的MMD设备（PCS或自动协商）中进行读取/写入。
3. 在MMD功能字段的01b（数据）中写入MMD访问控制寄存器，并在MMD设备地址（DEVAD）字段中选择先前选择的MMD设备（对于PCS为3）。
4. 如果读取，则读取包含所选MMD寄存器内容的MMD访问地址/数据寄存器。如果进行写操作，则将用于先前选择的MMD寄存器的寄存器内容写入MMD访问地址/数据寄存器。

4.3.1 PCS MMD设备当前1个寄存器

索引（十进制）： 3.5
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:8	保留的	RO	-
7	自动协商存在 0 = 包中不存在自动协商 1 = 包中包含自动协商	RO	1b
6	TC存在 0 = 包装中不存在TC 1 = 包装中的TC	RO	0b
5	DTE XS存在 0 =软件包中不包含DTE XS 1 = 封装中包含DTE XS	RO	0b
4	PHY XS存在 0 =封装中不包含PHY XS 1 = 封装中包含PHY XS	RO	0b
3	PCS存在 0 = PCS不存在于包装中 1 = 包装中包含PCS	RO	1b
2	WIS存在 0 = WIS不在包装中 1 = 包装中存在WIS	RO	0b
1	PMD / PMA当前 0 = PMD / PMA不存在于包装中 1 = 包装中存在PMD / PMA	RO	0b
0	条款22注册 0 = 软件包中不存在第22条寄存器 1 = 包装中包含第22条寄存器	RO	0b

4.3.2 PCS MMD设备当前2寄存器

索引（十进制）： 3.6
大小:16位

位	描述	类型	默认
15	供应商特定设备2存在 0 = 封装中没有供应商特定的设备2 1 = 包装中包含供应商特定的设备2	RO	0b
14	供应商特定设备1存在 0 = 封装中没有供应商专用设备1 1 = 包装中包含供应商特定的设备1	RO	1b
13	第22条扩展存在 0 = 包装中不存在第22条扩展 1 = 包装中存在第22条扩展	RO	0b
12:0	保留的	RO	-

4.3.3 唤醒控制和状态寄存器（WUCSR）

索引（十进制）： 3.32784
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15	接口禁用 0 =使能RMII接口 1 =禁用RMII接口。输出驱动为低电平，输入被忽略。	R/WNASR	0b
14:13	LED1功能选择 00 = LED1用作链接/活动。 01 = LED1用作nINT。 10 = LED1用作nPME。 11 = LED1用作链接速度。 注意： 有关更多信息，请参见第3.8.1节“ LED”。	R/WNASR	0b
12:11	LED2功能选择 00 = LED2用作链接速度。 01 = LED2用作nINT。 10 = LED2用作nPME。 11 = LED2用作链接/活动。 注意： 有关更多信息，请参见第3.8.1节“ LED”。	R/WNASR	0b
10	保留的	RO	-
9	nPME自清除 0 = nPME引脚未自清除。 1 = nPME引脚自清除。 注意： 置位时，nPME信号的解除置位延迟由其他配置寄存器（MCFGR）的nPME置位延迟位控制。有关更多信息，请参见第3.8.4节“ LAN唤醒（WoL）”。	R/WNASR	0b
8	WoL已配置 配置WoL寄存器后，可以通过软件将该位置1。这个 粘滞位（以及所有其他与WoL相关的寄存器位）仅通过重新上电或引脚复位来复位，从而允许软件响应于WoL事件而跳过对WoL寄存器的编程。 注意： 有关更多信息，请参见第3.8.4节“ LAN唤醒（WoL）”。	R/W/ NASR	0b
7	收到完美的DA帧（PFDA_FR） MAC在收到带有目标地址的有效帧后将其设置为该位 与物理地址匹配。	R / WC / NASR	0b
6	接收远程唤醒帧（WUFR） MAC在收到有效的远程唤醒帧后会设置该位。	R / WC / NASR	0b
5	收到魔术包（MPR） MAC在收到有效的魔术包后将该位置1。	R / WC / NASR	0b
4	收到广播帧（BCAST_FR） MAC在收到有效的广播帧后将该位置1。	R / WC / NASR	0b
3	完善的DA唤醒启用（PFDA_EN） 设置后，将启用远程唤醒模式，并且MAC能够唤醒 接收到目标地址与设备的物理地址匹配的帧。物理地址存储在MAC接收地址A寄存器（RX_ADDRA），MAC接收地址B寄存器（RX_ADDRB）和MAC接收地址C寄存器（RX_ADDRC）中。	R/W/ NASR	0b
2	唤醒帧启用（WUEN） 设置后，将启用远程唤醒模式，并且MAC具有以下功能： 按照唤醒过滤器中的程序设置唤醒帧。	R/W/ NASR	0b
1	魔术包启用（MPEN） 置位时，启用魔术包唤醒模式。	R/W/ NASR	0b
0	广播唤醒启用（BCST_EN） 设置后，将启用远程唤醒模式，并且MAC能够唤醒 从广播帧开始。	R/W/ NASR	0b

4.3.4 唤醒滤波器配置寄存器A（WUF_CFGA）

索引（十进制）： 3.32785
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15	筛选器启用 0 = 禁用过滤器 1 = 启用过滤器	R/W/ NASR	0b
14	过滤触发 0 = 未触发过滤器 1 = 触发过滤器	R / WC / NASR	0b
13:11	保留的	RO	-
10	地址匹配启用 设置后，目标地址必须与编程的地址匹配。 清除后，将接受任何单播数据包。有关更多信息，请参见第3.8.4.4节“唤醒帧检测”。	R/W/ NASR	0b
9	过滤任何多播启用 设置后，除广播以外的任何多播数据包都会导致地址 比赛。有关更多信息，请参见第3.8.4.4节“唤醒帧检测”。 注意： 该位的优先级高于该寄存器的位10。	R/W/ NASR	0b
8	过滤广播启用 设置后，任何广播帧都将导致地址匹配。请参阅部分 3.8.4.4，“唤醒帧检测”以获取更多信息。 注意： 该位的优先级高于该寄存器的位10。	R/W/ NASR	0b
7:0	滤镜图案偏移 指定在其上进行CRC检查的帧中第一个字节的偏移量 开始进行唤醒帧识别。偏移量0是传入帧的目标地址的第一个字节。	R/W/ NASR	00h

4.3.5 唤醒滤波器配置寄存器B（WUF_CFGB）

索引（十进制）： 3.32786
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:0	过滤器CRC-16 该字段为过滤器指定了预期的16位CRC值 通过使用模式偏移和为滤波器编程的字节掩码获得。将该值与在传入帧上计算的CRC进行比较，并且匹配项表示接收到唤醒帧。	R/W/ NASR	0000h

4.3.6 唤醒过滤器字节掩码寄存器（WUF_MASK）

索引（十进制）： 3.32801
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:0	唤醒过滤器字节掩码[127：112]	R/W/ NASR	0000h

索引（十进制）： 3.32802
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:0	唤醒过滤器字节掩码[111：96]	R/W/ NASR	0000h

索引（十进制）： 3.32803
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:0	唤醒过滤器字节掩码[95:80]	R/W/ NASR	0000h

索引（十进制）： 3.32804
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:0	唤醒过滤器字节掩码[79:64]	R/W/ NASR	0000h

索引（十进制）： 3.32805
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:0	唤醒过滤器字节掩码[63:48]	R/W/ NASR	0000h

索引（十进制）： 3.32806
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:0	唤醒过滤器字节掩码[47:32]	R/W/ NASR	0000h

索引（十进制）： 3.32807
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:0	唤醒过滤器字节掩码[31:16]	R/W/ NASR	0000h

索引（十进制）： 3.32808
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:0	唤醒过滤器字节掩码[15：0]	R/W/ NASR	0000h

4.3.7 MAC接收地址A寄存器（RX_ADDRA）

索引（十进制）： 3.32865
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:0	物理地址[47:32]	R/W/ NASR	FFFFh

注意 ：必须以正确的字节顺序将MAC地址加载到RX_ADDRA，RX_ADDRB和RX_ADDRC寄存器中。例如，应按如下所示将MAC地址12：34：56：78：9A：BC加载到这些寄存器中：
RX_ADDRA = BC9Ah
RX_ADDRB = 7856h
RX_ADDRC = 3412h

4.3.8 MAC接收地址B寄存器（RX_ADDRB）

索引（十进制）： 3.32866
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:0	物理地址[31:16]	R/W/ NASR	FFFFh

注意 ：必须以正确的字节顺序将MAC地址加载到RX_ADDRA，RX_ADDRB和RX_ADDRC寄存器中。例如，应按如下所示将MAC地址12：34：56：78：9A：BC加载到这些寄存器中：
RX_ADDRA = BC9Ah
RX_ADDRB = 7856h
RX_ADDRC = 3412h

4.3.9 MAC接收地址C寄存器（RX_ADDRC）

索引（十进制）： 3.32867
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:0	物理地址[15:0]	R/W/ NASR	FFFFh

注意 ：必须以正确的字节顺序将MAC地址加载到RX_ADDRA，RX_ADDRB和RX_ADDRC寄存器中。例如，应按如下所示将MAC地址12：34：56：78：9A：BC加载到这些寄存器中：
RX_ADDRA = BC9Ah
RX_ADDRB = 7856h
RX_ADDRC = 3412h

4.3.10 其他配置寄存器（MCFGR）

索引（十进制）： 3.32868
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:0	nPME声明延迟 当nPME时，该寄存器控制nPME断言时间的延迟。 唤醒控制和状态寄存器（WUCSR）的自清除位被设置。每个计数等效于20 ?s的延迟。最大延迟为1.31秒。时间=（寄存器值+ 1）x 20 ?s。	R/W/ NASR	1000h

4.3.11 供应商特定的MMD 1设备ID 1寄存器

索引（十进制）： 30.2
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:0	保留的	RO	0000h

4.3.12 供应商特定的MMD 1装置ID 2寄存器

索引（十进制）： 30.3
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:0	保留的	RO	0000h

4.3.13 供应商特定的1个MMD设备当前1个寄存器

索引（十进制）： 30.5
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:8	保留的	RO	-
7	自动协商存在 0 = 包中不存在自动协商 1 = 包中包含自动协商	RO	1b
6	TC存在 0 = 包装中不存在TC 1 = 包装中的TC	RO	0b
5	DTE XS存在 0 = 软件包中不包含DTE XS 1 = 封装中包含DTE XS	RO	0b
4	PHY XS存在 0 =封装中不包含PHY XS 1 = 封装中包含PHY XS	RO	0b
3	PCS存在 0 = PCS不存在于包装中 1 = 包装中包含PCS	RO	1b
2	WIS存在 0 = WIS不在包装中 1 = 包装中存在WIS	RO	0b
1	PMD / PMA当前 0 = PMD / PMA不存在于包装中 1 = 包装中存在PMD / PMA	RO	0b
0	条款22注册 0 = 软件包中不存在第22条寄存器 1 = 包装中包含第22条寄存器	RO	0b

4.3.14 供应商特定的1 MMD设备当前2寄存器

索引（十进制）： 30.6
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15	供应商特定设备2存在 0 = 封装中没有供应商特定的设备2 1 = 包装中包含供应商特定的设备2	RO	0b
14	供应商特定设备1存在 0 = 封装中没有供应商专用设备1 1 = 包装中包含供应商特定的设备1	RO	1b
13	第22条扩展存在 0 = 包装中不存在第22条扩展 1 = 包装中存在第22条扩展	RO	0b
12:0	保留的	RO	-

4.3.15 供应商特定的MMD 1状态寄存器

索引（十进制）： 30.8
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:14	设备存在 00 =该地址没有设备响应 01 =没有设备在该地址响应 10 =设备在该地址响应 11 =没有设备在该地址响应		10b
13:0	保留的	RO	-

4.3.16 TDR匹配阈值寄存器

索引（十进制）： 30.11
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:10	保留的	RO	-
9:5	TDR匹配高阈值 设置阈值以检测匹配电缆。	R/W	5’h12 （请参阅注释1）
4:0	TDR匹配下限阈值 设置下限阈值以检测匹配电缆。	R/W	2009年5月5日 （请参阅注释1）

注释1 ：软件复位会将此寄存器的默认值置于不确定状态。为了使TDR正常运行，必须将TDR短低阈值和TDR打开高阈值分别设置为5’h09和5’h12。

4.3.17 TDR短/开门限寄存器

索引（十进制）： 30.12
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:10	保留的	RO	-
9:5	TDR短低阈值 设置下限阈值以检测电缆短路。	R/W	2009年5月5日 （请参阅注释1）
4:0	TDR开放上限 设置检测电缆断线的上限阈值。	R/W	5’h12 （请参阅注释1）

注释1 ：软件复位会将此寄存器的默认值置于不确定状态。为了使TDR正常运行，必须将TDR短低阈值和TDR打开高阈值分别设置为5’h09和5’h12。

4.3.18 供应商特定的MMD 1软件包ID 1寄存器

索引（十进制）： 30.14
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:0	保留的	RO	0000h

4.3.19 供应商特定的MMD 1包裹ID 2寄存器

索引（十进制）： 30.15
大小： 16位

位	描述	类型	默认
15:0	保留的	RO	0000h

5.0 操作特性

5.1 绝对最大额定值*

电源电压（VDDIO，VDD1A，VDD2A）（参见注释1）
-0.5V- to +3.6V

数字内核电源电压（VDDCR）（参见注释1）
-0.5V- to +1.5V

以太网磁性电源电压
-0.5V- to +3.6V

输入信号引脚上相对于地的正电压（请参见注释2）
VDDIO + 2.0 V

输入信号引脚上的负电压（相对于地）（请参见注释3）
-0.5V

XTAL1 / CLKIN上的正电压，相对于地
3.6V

储存温度…- 55oC至+ 150oC

引线温度范围…请参阅JEDEC规范。J-STD-020

HBM ESD性能JEDEC 3A级

**注释1：**使用实验室或系统电源为设备供电时，重要的是不要超过绝对最大额定值，否则可能导致设备故障。交流电源打开或关闭时，某些电源在其输出上会出现电压尖峰。此外，交流电源线上的电压瞬变可能会出现在直流输出上。如果存在这种可能性，建议使用钳位电路。

注释2: 此额定值不适用于以下引脚：XTAL1 / CLKIN，XTAL2，RBIAS。

注释3: 此额定值不适用于以下引脚：RBIAS。

*超过本节所列的应力可能会导致设备永久损坏。这仅是压力等级。长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响设备的可靠性。不暗示在超过第5.2节“工作条件**”或本规范任何其他适用部分指出的条件下，设备的功能运行。请注意，除非另有说*明，*否则设备信号不能承受5.0V的电压。

5.2 运行条件**

电源电压（VDDIO）+1.62 V至+3.6 V

模拟端口电源电压（VDD1A，VDD2A）+3.0 V至+3.6 V

数字内核电源电压（VDDCR）+1.14 V至+1.26 V

以太网磁性电源电压+2.25 V至+3.6 V

静止空气（TA）中的环境工作温度（请参见注释1）

注1 ：商业版本为0°C至+ 70°C，工业版本为-40°C至+ 85°C。

注意： 在设备未通电的情况下，请勿驱动输入信号。

5.3 封装散热规格

表5-1：包装热参数

参数	符号	值	单元	评论
热阻	ΘJA	55.3	摄氏度/瓦	从模头到周围空气的静止空气中测量
封装顶部到结点	ΨJT	0.9	摄氏度/瓦	在静止空气中测量

注意： 根据JESD51，为多层2S2P PCB中的设备测量或估算热参数。

5.4 能量消耗

本节详细介绍了在各种工作条件下进行的设备功率测量。除非另有说明，否则所有测量均使用标称值（VDDIO，VDD1A，VDD2A = 3.3 V，VDDCR = 1.2 V）的电源进行。有关省电模式的说明，请参见第3.8.3节“省电模式”。

5.4.1 REF_CLK输入模式

5.4.1.1 调节器禁用

表5-2： 电流消耗和功耗（REF_CLK IN，REG。已禁用）

电源引脚组	3.3 V器件电流（mA）	1.2 V器件电流（mA）	3.3 V器件电流	装置总功率（mW）
复位	典型	9.8	11	9.8	50
100BASE-TX / W交通	典型	27	20	70	124
10BASE-T / W交通	典型	10	13	114	54
能源检测掉电	典型	4.6	2.1	4.6	19
一般掉电	典型	0.8	1.9	0.7	5.3

5.4.1.2 稳压器已启用

表5-3： 电流消耗和功耗（REF_CLK IN，REG。已启用）

电源引脚组	设备电流（mA）	带有磁性的设备电流（mA）	装置总功率（mW）
复位	典型	21	21	71
100BASE-TX / W交通	典型	50	92	163
10BASE-T / W交通	典型	24	129	81
能源检测掉电	典型	6.8	6.9	23
一般掉电	典型	3.5	3.5	12

5.4.2 REF_CLK输出模式

5.4.2.1 调节器禁用

表5-4： 电流消耗和功耗（REF_CLK OUT，REG。已禁用）

电源引脚组		3.3 V器件电流（mA）	1.2 V器件电流（mA）	3.3 V器件电流（mA）	装置总功率（mW）
复位	典型	20	11	20	86
100BASE-TX / W交通	典型	37	20	79	160
10BASE-T / W交通	典型	20	13	124	88
能源检测掉电	典型	4.5	1.7	4.4	18
一般掉电	典型	1.0	1.3	0.9	6.4

5.4.2.2 稳压器已启用

表5-5： 电流消耗和功耗（REF_CLK OUT，REG。已启用）

电源引脚组		设备电流（mA）	带有磁性的设备电流（mA）	装置总功率（mW）
复位	典型	31	31	103
100BASE-TX / W交通	典型	59	102	195
10BASE-T / W交通	典型	34	139	112
能源检测掉电	典型	6.5	6.4	21
一般掉电	典型	3.2	3.2	11

5.5 直流规格

表5-6详细说明了非可变I / O缓冲区的特征。这些缓冲器类型不支持可变电压操作。表5-7详细列出了可变电压I / O缓冲器的特性。提供了针对1.8 V，2.5 V和3.3 V VDDIO情况的典型值。
表5-6：不变的I / O缓冲区特征

参数	符号	最小	典型值	最高	单元	注意
IS类型输入缓冲器
低输入电平	VILI	-0.3			V
高输入电平	VIHI			3.6	V
负向阈值	VILT	1.01	1.19	1.39	V	施密特触发器
正向阈值	VIHT	1.39	1.59	1.79	V	施密特触发器
施密特触发器磁滞（VIHT-VILT）	VHYS	336	399	459	mV
输入泄漏 （VIN = VSS或VDDIO）	IIH	-10		10	uA	（请参阅注释1）
输入电容	CIN			2	pF
O12型缓冲器
低输出电平	VOL			0.4	V	IOL = 12 mA
高输出电平	VOH	VDD2A-0.4			V	IOH = -12 mA
ICLK类型缓冲器（XTAL1输入）						（见注释2）
低输入电平	VILI	-0.3		0.35	V
高输入电平	VIHI	VDDCR-0.35		3.6	V

注1 ：该规范适用于所有输入和三态双向引脚。内部下拉电阻和上拉电阻每引脚（典型值）增加±50?A。
注2 ：XTAL1 / CLKIN可以选择由25 MHz单端时钟振荡器驱动。

表5-7： 可变的I / O缓冲区特征

参数	符号	最小	典型值1.8 V	2.5 V（典型值）	3.3 V（典型值）	最高	单元	注意
VIS类型输入缓冲器
低输入电平	VILI	-0.3					V
高输入电平	VIHI					3.6	V
负阈值	VILT	0.64	0.83	1.15	1.41	1.76	V	施密特触发器
正向阈值	VIHT	0.81	0.99	1.29	1.65	1.90	V	施密特触发器
施密特触发器滞后（VIHT-VILT）	VHYS	102	158	136	138	288	毫伏
输入泄漏 （VIN = VSS或VDDIO）	IIH	-10				10	微安	（请参阅注释1）
输入电容	CIN					2	F
VO8型缓冲器
低输出电平	VOL					0.4	V	IOL = 8 mA
高输出水平	VOH	VDDIO-0.4					V	IOH = -8 mA
VO8型缓冲器
低输出水平	VOL					0.4	V	IOL = 8 mA

注释1：该规范适用于所有输入和三态双向引脚。内部下拉电阻和上拉电阻每引脚（典型值）增加±50 ?A。

表5-8： 100BASE-TX收发器特性

参数	符号	最小	典型值	最高	单元	注意
峰值差分输出电压高	VPPH	950	-	1050	mVpk	（请参阅注释1）
峰值差分输出电压低	VPPL	-950	-	-1050	mVpk	（请参阅注释1）
信号幅度对称	VSS	98	-	102	%	（请参阅注释1）
信号上升和下降时间	TRF	3.0	-	5.0	ns	（请参阅注释1）
上升和下降对称	TRFS	-	-	0.5	ns	（请参阅注释1）
占空比失真	DCD	35	50	65	%	（见注释2）
过冲和下冲	VOS	-	-	5	%
抖动				1.4	ns	（见注释3）

注释1 ：在变压器的线路侧测量，线路被100Ω（±1％）电阻代替。
注释2 ：在脉冲峰值的50％时从16 ns脉冲宽度偏移。
注释3 ： 差分测量。

表5-9： 10BASE-T收发器特性

参数	符号	最小	典型值	最高	单元	注意
变送器峰值差分输出电压	VOUT	2.2	2.5	2.8	V	（请参阅注释1）
接收器差分静噪阈值	VDS	300	420	585	mV

注1 ：保证的最小/最大电压是在100Ω电阻负载下测得的。

5.6 交流规格

本节详细介绍了设备的各种交流时序规范。

5.6.1 等效测试负荷

除非另有说明，否则输出时序规范假定等效测试负载为25 pF，如下图5-1所示。

5.6.2 电源序列时序

该图说明了设备电源排序的要求。VDDIO，VDD1A，VDD2A和电磁电源可以以任何顺序打开，只要它们都在指定的时间段tpon内达到工作电平即可。只要设备电源在指定时间段tpoff内全部达到0伏，就可以以任何顺序关闭电源。
VDD1A / VDD2A电源在VDDCR和VDDIO电源处于零伏的状态下保持不超过750 ms的时间是可以接受的。在这种情况下，必须在VDDCR和/或VDDIO处于关闭状态时断言nRESET，并且必须在VDDCR和VDDIO电源达到工作电平后至少50 ms保持置位状态。另外，VDDIO必须在VDDCR电源之后或之后提供。配置带必须满足第5.6.3节“开机nRST和配置带时序”中指定的要求。

表5-10： 功率序列时序值

符号	描述	最小	典型值	最高	单元
pon	电源开启时间			50	ms
tpoff	电源关闭时间			500	ms

**注意：**禁用内部稳压器时，VDDCR和3.3V电源之间存在上电排序关系。有关更多信息，请参见第3.7.3节“ REGOFF： 内部+1.2 V稳压器配置”。

5.6.3 上电nRST和配置分段时序

该图说明了与上电有关的nRST复位和配置带时序要求。上电后需要进行硬件复位（nRST断言）。为了正确运行，必须断言nRST不小于t_rstia。可以随时将nRST引脚置为有效，但是在所有外部电源都达到工作电平后，才可以在置位之前将nRST引脚置为无效。为了在上电时读取有效的配置带值，必须遵循t_css和t_csh时序约束。有关更多信息，请参见第3.8.6节“重置”。

图5-3： 上电nRST和配置分段时序

表5-11：上电nRST和配置表带时序值

符号	描述	最小	典型值	最高	单元
tpurstd	外部电源在操作级别上达到nRST断言	25			ms
tpurstv	处于操作级别且nRST有效的外部电源	0			ns
trstia	nRST输入断言时间	100			us
tcss	配置表带引脚设置为nRST无效	200			ns
tcsh	nRST置低后，配置带状引脚保持固定	1			ns
totaa	nRST断言后输出三态			50	ns
todad	nRST置低后的输出驱动器	2		800 （请参阅注释1）	ns

注意：nRST断言必须是单调的。
注意 ：由于nRST断言，设备配置带被锁存。有关详细信息，请参见第3.7节“配置带”。配置带只能拉高或拉低，并且不能作为输入驱动。
注1 ：25 MHz时20个时钟周期，或50 MHz时40个时钟周期

5.6.4 RMII接口时序

5.6.4.1 RMII时序（REF_CLK输出模式）

50 MHz REF_CLK OUT时序适用于将nINTSEL拉低的情况。在这种模式下，必须在XTAL1/CLKIN和XTAL2引脚上输入25MHz的晶体或时钟振荡器。有关REF_CLK输出模式的更多信息，请参见第3.7.4.2节“REF_CLK输出模式”。
**注意：**CRS_DV引脚同时执行载波侦听和数据有效功能。由于与操作模式有关的标准，CRS_DV在检测到载波时会被异步声明。如果在初始取消激活CRS_DV之后PHY还有其他位要在RXD[1：0]上显示，则器件将在REF_CLK的周期上声明CRS_DV，这将提供每个半字节的第二位，并在REF_CLK的周期上声明CRS_DV无效。表示半字节的第一个di位。有关更多信息，请参考RMII规范。

图5-4： RMII时序（REF_CLK OUT MODE）

表5-12： RMII时序值（REF_CLK输出模式）

符号	描述	最小	最高	单元	注意
tclkp	REFCLKO周期	20		ns
tclkh	REFCLKO高电平时间	tclkp * 0.4	tclkp * 0.6	ns
tclkl	REFCLKO低电平时间	tclkp * 0.4	tclkp * 0.6	ns
toval	从REFCLKO的上升沿开始的RXD [1：0]，RXER，CRS_DV输出有效		7.0	ns	（请参阅注释1）
toinvld	从REFCLKO的上升沿开始，RXD [1：0]，RXER，CRS_DV输出无效	3.0		ns	（请参阅注释1）
tsu	TXD [1：0]，TXEN建立时间到REFCLKO的上升沿	7.5		ns	（请参阅注释1）
tihold	TXD [1：0]，REFCLKO的上升沿之后的TXEN输入保持时间	2.0		ns	（请参阅注释1）

注1 ：定时设计用于10 pf至25 pf的系统负载。

5.6.4.2 RMII时序（REF_CLK输入模式）

50 MHz REF_CLK IN时序适用于nINTSEL悬空或拉高的情况。在此模式下，必须在CLKIN引脚上输入50 MHz时钟。有关REF_CLK模式的更多信息，请参见第3.7.4节“ nINTSEL：nINT / REFCLKO配置”。

**注意：**CRS_DV引脚同时执行载波侦听和数据有效功能。由于与操作模式有关的标准，CRS_DV在检测到载波时会被异步声明。如果在初始取消激活CRS_DV之后PHY还有其他位要在RXD [1：0]上显示，则器件将在REF_CLK的周期上声明CRS_DV，这将提供每个半字节的第二位，并在REF_CLK的周期上声明CRS_DV无效。表示半字节的第一个di位。有关更多信息，请参考RMII规范。
图5-5： RMII时序（REF_CLK IN MODE）

表5-13： RMII时序值（REF_CLK IN MODE）

符号	描述	最小	典型值	最高	单元	注意
tclkp	克金期	20			ns
tclkh	CLKIN高时间	tclkp * 0.35		tclkp * 0.65	ns
tclkl	CLKIN低时间	tclkp * 0.35		tclkp * 0.65	ns
toval	RXD [1：0]，RXER，CRS_DV输出 从CLKIN的上升沿开始有效			15.0	ns	（请参阅注释1）
toinvld	RXD [1：0]，RXER，CRS_DV输出 从CLKIN的上升沿起无效	3.0			ns	（请参阅注释1）
tsu	TXD [1：0]，TXEN建立时间到CLKIN的上升沿	4.0			ns	（请参阅注释1）
tihold	TXD [1：0]，CLKIN上升沿之后的TXEN输入保持时间	1.5			ns	（请参阅注释1）

注1 ：时序设计用于10 pF至25 pF的系统负载。

5.6.4.3 RMII CLKIN要求

表5-14： RMII CLKIN（REF_CLK）时序值

参数	最小	典型值	最高	单元	注意
CLKIN 频率		50		MHz
CLKIN 频率漂移			±50	ppm
CLKIN 占空比	40		60	%
CLKIN 抖动			150	ps	p-p –不是RMS

5.6.5 SMI时序

本节指定设备的SMI时序。有关更多详细信息，请参见第3.5节“串行管理接口（SMI）”。

图5-6： SMI 时序

表5-15： SMI时序值

符号	描述	最小	最高	单元
tclkp	MDC期间	400		ns
tclkh	MDC高时间	160 (80%)		ns
t~clkl ~	MDC低时间	160 (80%)		ns
tval	从MDC的上升沿有效的MDIO（从PHY读取）输出		300	ns
toinvld	MDIO的上升沿导致MDIO（从PHY读取）输出无效	0		ns
tsu	到MDC上升沿的MDIO（写入PHY）建立时间	10		ns
tihold	MDC上升沿之后的MDIO（写入PHY）输入保持时间	10		ns

5.7 时钟电路

该器件可以接受25 MHz晶体或25 MHz单端时钟振荡器（±50ppm）输入。如果采用单端时钟振荡器方法，则应使XTAL2保持未连接状态，并用标称0-3.3 V时钟信号驱动XTAL1 / CLKIN。输入时钟占空比为最小40％，典型50％和最大60％。
建议将使用匹配并联负载电容器的晶体用于晶体输入/输出信号（XTAL1 / XTAL2）。可以使用300 ?W或100 ?W的25 MHz晶体。第5.7.1节“ 300 ?W 25 MHz晶体规范”中详细介绍了300 ?W 25 MHz晶体规范。第5.7.2节“ 100 ?W 25 MHz晶体规范”中详细介绍了100 ?W 25 MHz晶体规范。

5.7.1 300 ?W 25 MHZ晶体规格

当使用300 ?W 25 MHz晶振时，需要以下电路设计（图5-7）和规格（表5-16），以确保正常工作。

图5-7： 300 ?W 25 MHZ晶体电路

表5-16：300 ?W晶体规格

参数	符号	最小	典型	最高	单元	注意
晶振切工	AT，典型
晶体振荡模式	基本模式
晶体校准模式	并联共振模式
频率	Ffund	-	25.000	-	MHz
25 ℃时的频率容限	Ftol	-	-	±50	ppm	（请参阅注释1）
频率温度稳定性	Ftemp	-	-	±50	ppm	（请参阅注释1）
随时间变化的频率	Fage	-	±3至5	-	ppm	（见注2）
允许的PPM总预算		-	-	±50	ppm	（见注3）
分流电容	CO	-	7 typ	-	pF
负载电容	CL	-	20 typ	-	pF
驱动等级	PW	300	-	-	uW
等效串联电阻	R1	-	-	50	?
工作温度范围		（见注4）	-	（见注5）	℃
XTAL1/CLKIN引脚电容		-	3 typ	-	pF	（见注6）
XTAL2引脚电容		-	3typ	-	pF	（见注6）

注释1 ：频率公差和频率稳定性的最大允许值取决于应用。由于任何特定的应用都必须满足IEEE±50 ppm的总PPM预算，因此这两个值的组合必须大约为±45 ppm（允许老化）。
注释2 ：随时间变化的频率也称为老化。
注释3 ：发送器时钟频率的总偏差由IEEE 802.3u指定为 ±50 ppm。
注释4 ：商业版本为0°C，工业版本为-40°C
注释5 ： 商业版+ 70°C，工业版+ 85°C
注释6 ：该数字包括焊盘，键合线和引线框。该值不包括PCB电容。需要XTAL1 /CLKIN引脚，XTAL2引脚和PCB电容值才能准确计算两个外部负载电容器的值。这两个外部负载电容器确定25.000MHz频率的精度。

5.7.2 100 ?W 25 MHZ晶体规范

当使用100 ?W 25 MHz晶振时，需要以下电路设计（图5-8）和规格（表5-17），以确保正常工作。

表5-17： 100 ?W晶体规格

参数	符号	最小	典型	最高	单元	注意
水晶切工	AT，典型
晶体振荡模式	基本模式
晶体校准模式	并联共振模式
频率	Ffund	-	25.000	-	MHz
25oC时的频率容限	Ftol	-	-	±50	ppm	（请参阅注释1）
频率温度稳定性	Ftemp	-	-	±50	ppm	（请参阅注释1）
随时间变化的频率	Fage	-	±3至5	-	ppm	（见注2）
允许的PPM总预算		-	-	±50	ppm	（见注3）
分流电容	CO	-	-	5	pF
负载电容	CL	8	-	12	pF
驱动等级	PW	-	100	-	uW	（见注4）
等效串联电阻	R1	-	-	80	?
XTAL2系列电阻器	RS	495	500	505	Ohm
工作温度范围		（见注5）	-	（见注6）	℃
XTAL1/CLKIN引脚电容		-	3 typ	-	pF	（请参阅注释7）
XTAL2引脚电容		-	3 typ	-	pF	（请参阅注释7）

注释1 ：频率公差和频率稳定性的最大允许值取决于应用。由于任何特定的应用都必须满足IEEE±50ppm的总PPM预算，因此这两个值的组合必须大约为±45 ppm（允许老化）。
注释2 ：随时间变化的频率也称为老化。
注释3 ：发送器时钟频率的总偏差由IEEE 802.3u指定为 ±50 ppm。
注释4 ：晶振必须支持100 ?W操作才能使用该电路。
注释5 ：商业版本为0°C，工业版本为-40°C
注释6 ： 商业版+ 70°C，工业版+ 85°C
注释7 ：该数字包括焊盘，键合线和引线框。该值不包括PCB电容。需要XTAL1/CLKIN引脚，XTAL2引脚和PCB电容值才能准确计算两个外部负载电容器的值（图5-8中的C1和C2）。外部负载电容器C1和C2确定25.000 MHz频率的精度。

6.0 包装概述

此处请自行查阅原数据手册