如题，开发板处理器是s5pv210，调试过程中发现，nandflash读写速度比较慢。具体情况是，用示波器测试读取一个sectors（2K）的时间是250us左右，而S3C6410的是120us左右，慢了一半！nandflash型号都是k9f2g08U0B，S5PV210芯片的主频是1Ghz，S3C6410的是600Mhz。有遇到类型情况的帮帮忙了，感激不尽。
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这个没有具体测试过，只是感觉速度还行！
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应该是bootloader的flash驱动部分可以优化。查查源码，对比下。
以前搞2440，把loader里面读flash一个page的代码换成汇编的，快很多。
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timing没问题的话，应该是driver的问题了
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感觉启动速度还可以啊，
我觉得还行，我的S5pv210 工控板子 觉得还可以，启动速度还可以的。
但是没有实际测试过。
觉得启动比6410 快啊。
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楼主有没有S5pv210 的开发板或是其它家的，都量一下，确定是个通病还是只有自己的有这问题
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我用的友善的tiny210，loader部分没源码。
请问楼主用哪家开发板？有loader源码的？
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4个读信号，是指读命令吗？还是指读4个字节。具体nandflash的命令我也不记得了，楼主应该可以查到，如果是读完字节的话，是不是放缓冲区的时间长了？
汇编的话，很好查的呀。
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有這麼難嗎,你看C:\WINCE600\PLATFORM\SMDKV210\SRC\COMMON\NANDFLASH\FMD\cfnand.h
裡面的static NAND_FLASH_SPEC g_supportedNAND[] =
{
{0xEC, 0xDA, SLC_NAND, 2048, 64, 2112, 2048, 64, 7, 7, 7},
{0x00, 0x00, SLC_NAND, 0, 0, 0, 0, 0}
};
你看最後的7,7,7
NandFlash的操作時脈取決於
TACLS[15:12]
CLE and ALE duration setting value (0~15)
Duration = HCLK x TACLS
TWRPH0[11:8]
TWRPH0 duration setting value (0~15)
Duration = HCLK x ( TWRPH0 + 1 )
TWRPH1[7:4]
TWRPH1 duration setting value (0~15)
Duration = HCLK x ( TWRPH1 + 1 )
目前設定為7,7,7這是各安全值,不是最佳值
因為規格書上都不需要如此長的時間
你隨便改一下改成3,3,3
就會快非常多
但是最佳值要設多少,你要自己去看規格書,我懶的去看
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usb2.0方面怎么样，速度能上来
——这个我加了一个USB hub 芯片，扩展出四个USB 接口。具体速度没测试
U盘鼠标，读卡器等都都在android/wince下使用，没问题。
做这些东西总有不停完善的地方，感觉总是不断发现三星原厂的bug 客户需求也很多，搞的无所适从。
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可以找个spec 来看， RE就是送给flash 的clk。 flash 内部采样靠这个信号。
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你测试的时候是测试Bootloader的nand读写？如果是的话，可以先对比一下 测试进入WinCE系统里面的读写文件速度。因为他们是同一个驱动的。