有没有在ppc8248（8272系列）环境下进行NAND FLASH开发？NAND FLASH用GPCM模式是否满足NAND FLASH时序？有没有大侠发表一下见解。
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好的，现在又出现一个问题，关于GPL2/OE这个引脚。
对nand进行读数据的时候，先发送命令，然后地址，然后读结束命令。然后polling R/B的状态为ready后，GPL2需要拉低nand的RE引脚，然后数据从数据线IO(0-7)输出了。
d0 = *（volatile unsigned char *）NAND_BASE；
d1 = *（volatile unsigned char *）NAND_BASE；
d2 = *（volatile unsigned char *）NAND_BASE；
d3 = *（volatile unsigned char *）NAND_BASE；
但是GPL2拉低nand的RE引脚一次，然后数据从数据线IO(0-7)读出
这个过程应该是ram word重复的,那么如何判断当前读的是哪次GPL2拉低的？
GPL2/OE在GPCM模式下，应该只要读取ppc的bank就能触发GPL2/OE为低的。
GPL2/OE在UMP模式下，通过ram word触发GPL2/OE为低，但是读取数据的时候如何控制呢？