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解释ROM、RAM、SRAM、DRAM与FLASH在使用上的区别及其原因
热度:67 发布时间:2023-12-25 15:51:26.0
- ROM(Read Only Memory):只读存储器,掉电时可以保存数据。
- 只读存储器,在单片机运行时,只能从中读取数据,不能向里面写数据。特点是掉电不丢失数据,在单片机中主要用来存储代码和常量等内容。
- RAM(Random Access Memory):可读可写,掉电会丢失数据。
RAM又分为SRAM和DRAM。RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。
- SRAM(Static RAM):静态存储器,读写速度快,生产成本高,多用于容量较小的高速缓冲存储器。
- 缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多,因而价格昂贵,容量不大。
- DRAM(Dynamic RAM):动态存储器,读写速度较慢,集成度高,生产成本低,多用于容量较大的主存储器。
- DRAM用于通常的数据存取。我们常说内存有多大,主要是指DRAM的容量。
- SDRAM(Synchronous DRAM):同步动态随机存储器,需要刷新,速度较快,容量大,比DRAM多一个同步时钟。
- DDR RAM(Double-Date-Rate RAM/DDR SDRAM):双倍速率同步动态RAM,需要刷新,速度快,容量大。
- 这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存。在很多高端的显卡上,也配备了高速DDR RAM来提高带宽,这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
- FLASH存储器(Flash EEPROM Memory): 又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据,同时可以快速读取数据(NVRAM的优势),U盘和MP3里用的就是这种存储器。它用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码,或者直接当硬盘使用(U盘)。
- 目前Flash主要有NOR Flash和NADN Flash:
- NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。
- NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还加上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
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NOR |
NAND |
类型理解 |
或非 |
与非 |
接口理解 |
地址、数据总线分开 |
地址、数据总线共用 |
读写单位 |
字节 |
页 |
组成结构 |
扇区、字节 |
块、页 |
擦除单位 |
扇区 |
块 |
读写速度 |
读速度比较快 |
写速度比较快 |
擦除速度 |
5ms擦除速度 |
4ms擦除速度 |
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擦除单元更小,相应的擦除电路少 |
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写入时,先进行擦除操作 |