一、RAM和ROM
RAM： 随机存储器，可以随时进行读写操作，速度很快，掉电以后数据会丢失。比如内存条、 SRAM、 SDRAM、 DDR 等都是 RAM。 RAM 一般用来保存程序数据、中间结果，比如在程序中定义了一个变量 a，然后对这个 a 进行读写操作
int a;
a = 10;a 是一个变量，可以直接对“a”进行读写操作，不需要在乎具体的读写过程。可以随意的对 RAM 中任何地址的数据进行读写操作，非常方便
ROM： 只读存储器，也叫flash, 但是可以进行写操作的，只是写起来比较麻烦，要先进行擦除，然后再发送要写的地址或扇区，最后才是要写入的数据，相比于RAM，像ROM 或者 Flash 写入数据要复杂很多，因此意味着速度就会变慢(相比 RAM)，但是ROM 和 Flash 可以将容量做的很大，而且掉电以后数据不会丢失，适合用来存储资料，比如音乐、图片、视频等信息
综上所述， RAM 速度快，可以直接和 CPU 进行通信，但是掉电以后数据会丢失，容量不容易做大，ROM(目前来说，更适合叫做 Flash)速度虽然慢，但是容量大、适合存储数据
二、SRAM和SDRAM
SRAM(Static Random-Access Memory): 静态随机存储器，这里的“静态”指的是只要 SRAM 上电，SRAM 里面的数据就会一直保存着，直到 SRAM 掉电。对于RAM 而言需要可以随机的读取任意一个地址空间内的数据，因此采用了地址线和数据线分离的方式。
IS62WV51216 16 位宽(数据位为 16 位)、1MB 大小 SRAM 芯片
①地址线，一共 A0~A18，19 根地址线，因此可访问的地址大小就是2^19=524288=512KB，又数据位是16 位宽的，也就是一次访问 2 个字节，因此需要对512KB 进行乘 2 处理，得到512KB*2=1MB。位宽的话一般有 8 位/16 位/32 位，根据实际需求选择即可，一般都是根据处理器的 SRAM 控制器位宽来选择 SRAM 位宽
②数据线，根据 SRAM 位宽的不同，数据线的数量要不同， 8 位宽就有 8根数据线， 16 位宽就有 16 根数据线。 IS62WV51216 是一个 16 位宽的 SRAM，因此就有 16 根数据线，一次访问可以访问 16bit 的数据。因此就有高字节和低字节数据，其中 IO0~IO7 是低字节数据， IO8~IO15 是高字节数据
③控制线，SRAM 要工作还需要一堆的控制线
SRAM 突出的特点就是无需刷新(SDRAM 需要刷新)，读写速度快。所以 SRAM通常作为 SOC 的内部 RAM 使用或 Cache 使用。但是成本比较高
SDRAM(Synchronous DynamicRandom Access Memory): 同步动态随机存储器，“同步”的意思是 SDRAM 工作需要时钟线，“动态”的意思是 SDRAM 中的数据需要不断的刷新来保证数据不会丢失，“随机”的意思就是可以读写任意地址的数据
与 SRAM 相比， SDRAM 集成度高、功耗低、成本低、适合做大容量存储，但是需要定时刷新来保证数据不会丢失。因此 SDRAM 适合用来做内存条， SRAM 适合做高速缓存或 MCU内部的RAM
SDRAM 目前已经发展到了第四代，分别为： SDRAM、 DDR SDRAM、 DDR2 SDRAM、 DDR3 SDRAM、 DDR4 SDRAM
W9825G6KH 是一款 16 位宽(数据位为 16 位)、 32MB 的 SDRAM、速度一般为 133MHz、 166MHz 或 200MHz，框图如下
①控制线：
CLK： 时钟线， SDRAM 是同步动态随机存储器，“同步”的意思就是时钟，因此需要一根
额外的时钟线，这是和 SRAM 最大的不同， SRAM 没有时钟线
RAS：行选通信号，低电平有效， SDRAM 和 SRAM 的寻址方式不同， SDRAM 按照行、
列来确定某个具体的存储区域。因此就有行地址和列地址之分，行地址和列地址共同复用同一组地址线，要访问某一个地址区域，必须要发送行地址和列地址，指定要访问哪一行，哪一列。RAS 是行选通信号，表示要发送行地址CAS： 列选通信号，低电平有效，选中后就可以发送列地址
寻址方式：
②A10地址线：控制着Auto-precharge(预充电)，SDRAM芯片内部会分为多个 BANK，SDRAM 在读写完成以后，如果要对同一个 BANK 中的另一行进行寻址操作就必须将原来有效的行关闭，然后发送新的行/列地址，关闭现在工作的行，准备打开新行的操作就叫做预充电。一般 SDSRAM 都支持自动预充电的功能
③地址线：一共有 A0~A12，共 13 根地址线。SDRAM 寻址是按照行地址和列地址来访问的，因此这 A0~A12 包含了行地址和列地址。不同的 SDRAM 芯片，根据其位宽、容量等的不同，行列地址数是不同的。
比如 W9825G6KH 的 A0~A8 是列地址，一共 9 位列地址， A0~A12 是行地址，一共 13位，因此可寻址范围为： 2^9*2^13=4194304B=4MB， W9825G6KH 为 16 位宽(2 个字节)，因此还需要对 4MB 进行乘 2 处理，得到 4*2=8MB，注意这里仅仅算的是一个BANK 的容量，还需要乘以BANK的数量 8*4 = 32MB
④BANK 选择线：BS0 和 BS1 是 BANK 选择信号线，刚好4个BANK。如果是 8 个 BANK 的话就需要三根线
三、DDR3
DDR(Double Data Rate SDRAM): 双倍速率 SDRAM, DDR 内存是 SDRAM 的升级版本，SDRAM 在一个 CLK 周期传输一次数据， DDR 在一个 CLK 周期传输两次数据，在上升沿和下降沿各传输一次数据，这个概念叫做预取(prefetch)，相当于 DDR 的预取为 2bit
SDRAM 速度一般是 133~200MHz，对应的传输速度就是133~200MT/s（MT/s：每秒多少兆次数据传输，单位时间内传输速率），DDR 的传输速度就变为了 266~400MT/S
DDR2 在 DDR 基础上进一步增加预取(prefetch)，增加到了 4bit，相当于比 DDR 多读取一倍的数据，因此 DDR2 的数据传输速率就是 533~800MT/s 。DDR3 在 DDR2 的基础上将预取(prefetch)提高到 8bit，因此又获得了比 DDR2 高一倍的传输速率，因此在总线时钟同样为 266~400MHz 的情况下， DDR3 的传输速率就是 1066~1600MT/S
MX6U 的 MMDC 外设用于连接 DDR，支持 LPDDR2、 DDR3、 DDR3L，最高支持 16 位数据
位宽。总线速度为 400MHz(实际是 396MHz)，数据传输速率最大为 800MT/S。这三个都是DDR3，主要区别是在于工作电压， LPDDR3叫做低功耗 DDR3，工作电压为 1.2V。 DDR3 叫做标压 DDR3，工作电压为 1.5V，一般台式内存条都是 DDR3。 DDR3L 是低压 DDR3，工作电压为 1.35V，一般手机、嵌入式、笔记本等都使用 DDR3L
DDR3的框图和SDRAM大致是差不多就不说了
STM32 的 FMC 或 FSMC 外设用于连接 SRAM 或 SDRAM，对于 I.MX6U 来说也有 DDR 内存控制器：MMDC控制器，MMDC 是一个多模的 DDR 控制器，可以连接 16 位宽的 DDR3/DDR3L、16 位宽的 LPDDR2， MMDC 是一个可配置、高性能的 DDR 控制器。 MMDC 外设包含一个内核
(MMDC_CORE)和 PHY(MMDC_PHY)
MMDC 内核：内核负责通过 AXI 接口与系统进行通信、 DDR 命令生成、 DDR 命令优化、
读/写数据路径。
MMDC PHY： PHY 负责时序调整和校准，使用特殊的校准机制以保障数据能够在 400MHz
被准确捕获
STM32 中FMC/FSMC 的 IO 引脚是带有复用功能的，如果不接 SRAM 或SDRAM FMC/FSMC 是可以用作其他外设 IO 的。但是，对于 DDR 接口就不一样，DDR 对于硬件要求非常严格，DDR 的引脚都是独立的，一般没有复用功能，只做为 DDR引脚使用
在使用时只需要设置 DDR 引脚的电气属性即可，注意， DDR 引脚的电气属性寄存器和普通的外设引脚电气属性寄存器不同
MMDC时钟来源：可以选择4路，一般选择PLL2_PFD2，400MHz